Samsung Semiconductor - K4A4G165WE-BIRC

KEY Part #: K7359584

[24465τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    K4A4G165WE-BIRC
    Κατασκευαστής:
    Samsung Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: SLC Nand, GDDR6, HBM Flarebolt, LPDDR5, HBM Aquabolt, DDR4, LPDDR3 and DDR3 ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BIRC. Το K4A4G165WE-BIRC μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το K4A4G165WE-BIRC, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: info@key-components.com

    K4A4G165WE-BIRC Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : K4A4G165WE-BIRC
    Κατασκευαστής : Samsung Semiconductor
    Περιγραφή : 4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Σειρά : DDR4
    Πυκνότητα : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    Ταχύτητα : 2400 Mbps
    Τάση : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Πακέτο : 96FBGA
    Κατάσταση προϊόντος : Mass Production

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.