Samsung Semiconductor - K4A4G085WF-BCTD

KEY Part #: K7359581

[20623τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    K4A4G085WF-BCTD
    Κατασκευαστής:
    Samsung Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: GDDR6, LPDDR4X, LPDDR4, DDR3, GDDR5, LPDDR5, HBM Flarebolt and DDR4 ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Samsung Semiconductor K4A4G085WF-BCTD. Το K4A4G085WF-BCTD μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το K4A4G085WF-BCTD, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: info@key-components.com

    K4A4G085WF-BCTD Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : K4A4G085WF-BCTD
    Κατασκευαστής : Samsung Semiconductor
    Περιγραφή : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Σειρά : DDR4
    Πυκνότητα : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Ταχύτητα : 2666 Mbps
    Τάση : 1.2 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Πακέτο : 78FBGA
    Κατάσταση προϊόντος : Mass Production

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.